Micron удвоила плотность флеш-памяти и перешагнула рубеж в 400 слоёв NAND Новое поколение G11 обещает вдвое большую плотность записи и ускоренный интерфейс до 5,4 Гбит/с Micron Technology раскрыла планы на следующее поколение трёхмерной флеш-памяти, пропустив в названии индекс G10 и сразу анонсировав G11. Производитель официально подтвердил, что количество слоёв превысило отметку в 400. Это минимум на 45% больше, чем у текущего поколения G9 с 276 слоями, используемого, например, в SSD Crucial P510. Наращивание этажности — не единственный способ повысить ёмкость. Благодаря новому техпроцессу и…